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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

About The : 0,001 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,001 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, MPN: BSZ100N06NSATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

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Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

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