Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,001 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, MPN: BSZ100N06NSATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |