Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 200 A, 8-Pin HSOF-8
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Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 200 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0023 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IAUT200N08S5N023ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 200 A, 8-Pin HSOF-8
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Specifications of Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 200 A, 8-Pin HSOF-8 | |
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