Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 87 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,125 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, MPN: IPA60R125P6XKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 87 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 87 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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