Infineon International Rectifier IRF7809AV IRF7809AVTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,6 A 2,5 W, 8-Pin SO, Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±12 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, Höhe: 1.5mm
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Infineon International Rectifier IRF7809AV IRF7809AVTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,6 A 2,5 W, 8-Pin SO
Specifications of Infineon International Rectifier IRF7809AV IRF7809AVTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,6 A 2,5 W, 8-Pin SO | |
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