Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 30 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,023 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 16V, MPN: IPD30N06S4L23ATMA2
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 30 A, 3-Pin TO-252
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 30 A, 3-Pin TO-252 | |
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