Infineon OptiMOS™ P-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 70 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0078 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.3125V, MPN: IPD70P04P4L08ATMA2
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ P-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 70 A, 3-Pin TO-252
Specifications of Infineon OptiMOS™ P-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 70 A, 3-Pin TO-252 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |