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Vishay P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 1,1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max

Vishay P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 1,1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP, Drain-Source-Widerstand max.: 500 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRFD9014PBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 1,1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

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Specifications of Vishay P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 1,1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

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