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Microchip N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 MA 740 MW, 3-Pin TO-92

About The .: 12 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max

Microchip N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 12 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: DN2530N3-G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Microchip N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 MA 740 MW, 3-Pin TO-92

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Specifications of Microchip N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 MA 740 MW, 3-Pin TO-92

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Microchip N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 MA 740 MW, 3-Pin TO-92
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Molex EdgeMate Steckverbindergehäuse Buchse 3.96mm, 11-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für Crimpkontakt, Gender: Female, Zur Verwendung mit: Crimpkontakt Serie 172160, Länge: 54mm, Breite: 16mm, Gehäusematerial: Nylon, MPN: 172159-0611
    • Molex CLIK-Mate Vorverdrahtete Crimp-Kontakte verzinnt, Schwarz 0.08mm², 300mm, Crimp-Anschlussklemme 2: Nicht abgeschlossen, Crimp-Klemme 1 Gender: Stecknippel, Seriennummer: 215711, Nennstrom: 2 A, Drahttyp: UL 10002, Anschluss A Gender: Stecker, Anschluss A: Terminal Clik-Mate, MPN: 215711-1104
    • RS PRO Kabelabdeckung, Kabelbrücke, Innen-Ø 45mm 45 x 20mm, 220 mm x 765mm Polyurethan, Schwarz 1-kanalig

    RS PRO Kabelabdeckung, Kabelbrücke, Innen-Ø 45mm 45 x 20mm, 220 mm x 765mm Polyurethan, Schwarz 1-kanalig

    RS PRO Kabelabdeckung, Kabelbrücke, Innen-Ø 45mm 45 x 20mm, 220 mm x 765mm Polyurethan, Schwarz 1-kanalig.

    • Sunon DC-Axiallüfter, 24 V dc / 3.72W, 80 x 80 x 25mm, 60cfm, Höhe: 80mm, Strom max.: 171mA, Schutzart: IP20, MPN: PF80252B1-1000U-A99
    • Panasonic, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 68μF ±20% / 25V dc, Ø 5mm x 5.8mm, bis 105°C, Kapazität: 68µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 5 (Dia.) x 5.8mm, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 1.5mm, Lebensdauer: 2000h, Automobilstandard: AEC-Q200, Äquivalenter Serienwiderstand: 360mΩ, Leckstrom: 17 μA, Polarisiert: Polar, MPN: EEEFT1E680AR
    • RS PRO Kabelabdeckung, Kabelbrücke 38 x 12mm, 133 mm x 765mm Polyurethan, Schwarz 1-kanalig, Standards: BS7671:2008

    RS PRO Kabelabdeckung, Kabelbrücke 38 x 12mm, 133 mm x 765mm Polyurethan, Schwarz 1-kanalig, Standards: BS7671:2008

    RS PRO Kabelabdeckung, Kabelbrücke 38 x 12mm, 133 mm x 765mm Polyurethan, Schwarz 1-kanalig.

    • Murata, RDE, THT MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 10nF ±5% / 50V dc, Spannung: 50V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Abmessungen: 4.5 x 3.15 x 3.5mm, Länge: 4.5mm, Tiefe: 3.15mm, Anschlussabstand: 5 mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Anschlussklemmentyp: Radial, MPN: RDE5C1H103J1M1H03A
    • Microchip N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 12 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: DN2530N3-G
    • Murata, RDE, THT MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 10nF ±5% / 50V dc, Spannung: 50V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Abmessungen: 4.5 x 3.15 x 3.5mm, Länge: 4.5mm, Tiefe: 3.15mm, Anschlussabstand: 5 mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Anschlussklemmentyp: Radial, MPN: RDE5C1H103J1M1H03A
    • Microchip N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 175 mA 740 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 12 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: DN2530N3-G