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Onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The : +175 °C, MPN: FDS6375.: 24 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 24 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: FDS6375

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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SICK BKS09 Seilzuggeber Absolut, 30 V 2000mm, SSI, Auflösung: 0,05 mm, Schritte pro Umdrehung: 3060Schritte, IP Schutzart: IP50, Gesamthöhe: 90mm, Betriebstemperatur min.: -10°C, Betriebstemperatur max.: +70°C, Verbindungstyp: Steckverbinder, MPN: 1035240
    • Hutchinson Le Joint Français Verklebte Siegel Gummi: DF851 und Unterlegscheibe: Weichstahl, Innen-Ø 43mm / Außen-Ø, Außendurchmesser: 54mm, Betriebstemperatur (min.): -25°C, Stärke: 2.5mm, Betriebstemperatur (max.): +250°C, MPN: 205017
    • Hutchinson Le Joint Français Verklebte Siegel Gummi: DF851 und Unterlegscheibe: Weichstahl, Innen-Ø 27.05mm / Außen-Ø, Außendurchmesser: 34.93mm, Betriebstemperatur (min.): -25°C, Stärke: 2.5mm, Betriebstemperatur (max.): +250°C, MPN: 205309
    • Hutchinson Le Joint Français Verklebte Siegel Gummi: 7DF2075 und Unterlegscheibe: Edelstahl, Innen-Ø 5.7mm / Außen-Ø, Außendurchmesser: 10mm, Betriebstemperatur (min.): -25°C, Stärke: 1mm, Betriebstemperatur (max.): +250°C, MPN: 205506
    • Hutchinson Le Joint Français Verklebte Siegel Gummi: 7DF2075 und Unterlegscheibe: Edelstahl, Innen-Ø 5.7mm / Außen-Ø, Außendurchmesser: 10mm, Betriebstemperatur (min.): -25°C, Stärke: 1mm, Betriebstemperatur (max.): +250°C, MPN: 205506