onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 750 mA 360 mW, 6-Pin SOT-363, Gehäusegröße: SOT-363 (SC-70), Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.65V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 1mm, Länge: 2mm, MPN: FDG8850NZ
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Onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 750 MA 360 MW, 6-Pin SOT-363
Specifications of Onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 750 MA 360 MW, 6-Pin SOT-363 | |
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