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Infineon StrongIRFET N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 363 A, 7-Pin TO-263-7

About The : 0,00095 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon StrongIRFET N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 363 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max

Infineon StrongIRFET N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 363 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00095 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IRF60SC241ARMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon StrongIRFET N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 363 A, 7-Pin TO-263-7

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Specifications of Infineon StrongIRFET N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 363 A, 7-Pin TO-263-7

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XP Power Schaltnetzteil, ±5 V dc, ±15V dc / 3 A, 6 A, 800mA 4-Kanal 63W 120 → 370 V dc, 90 → 264 V ac, Ausgangsspannung: ±5 V dc, ±15V dc, Montagetyp: Gehäusemontage, Gehäusetyp: Offene Bauform, Länge: 127mm, Breite: 76.2mm, Tiefe: 30.5mm, Wirkungsgrad: 80%, Temperatur max.: +70°C, Gewicht: 240g, MPN: SDS60UQ05
    • XP Power Schaltnetzteil, 12V dc / 5.2A 3-Kanal 63W 120 → 370 V dc, 90 → 264 V ac Offene Bauform,, Ausgangsspannung: 12V dc, Montagetyp: Gehäusemontage, Länge: 127mm, Breite: 76.2mm, Tiefe: 30.5mm, Wirkungsgrad: 80%, Temperatur max.: +70°C, Gewicht: 240g, MPN: SDS60US12
    • onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 0.93mm, MPN: BSS123
    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 130 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 10 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.92mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: BSS84
    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 130 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 10 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.92mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: BSS84