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Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23

About The onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 0

onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 0.93mm, MPN: BSS123

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23

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Onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23
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XP Power Schaltnetzteil, 48V dc / 3.7A 180W 85 → 264V ac Offene Bauform, Medizin-Zulassung, Gehäusemontage, Ausgangsspannung: 48V dc, Länge: 127mm, Breite: 76.2mm, Medizintechnische Zulassung: Ja, Tiefe: 36.3mm, Distrelec Product Id: 30224480, Temperatur max.: +70°C, Temperatur min.: -40°C, Gewicht: 290g, MPN: GCS180PS48
    • XP Power Schaltnetzteil, 15V dc / 15A 250W 85 → 264V ac Offene Bauform, Medizin-Zulassung, Gehäusemontage, Ausgangsspannung: 15V dc, Länge: 127mm, Breite: 76.2mm, Medizintechnische Zulassung: Ja, Tiefe: 36.3mm, Distrelec Product Id: 30241507, Temperatur max.: +70°C, Temperatur min.: -40°C, Gewicht: 290g, MPN: GCS250PS15
    • XP Power Schaltnetzteil, 24V dc / 10.4A 250W 85 → 264V ac Offene Bauform, Medizin-Zulassung, Gehäusemontage, Ausgangsspannung: 24V dc, Länge: 127mm, Breite: 76.2mm, Medizintechnische Zulassung: Ja, Tiefe: 36.3mm, Distrelec Product Id: 30183519, Temperatur max.: +70°C, Temperatur min.: -40°C, Gewicht: 290g, MPN: GCS250PS24
    • Jallatte Unisex Sicherheitshalbschuhe Schwarz, Grau, mit Zehen-Schutzkappe EN 20345 S3, Größe 38 / UK 5, ESD-sicher, Serie: J-energy, Schuhgröße US: 6, Zehenschutzkappe Typ: Verbundmaterial, Verschlussart: Schnüren, MPN: JALCYBER JI214 38
    • XP Power Schaltnetzteil, ±5 V dc, ±15V dc / 3 A, 6 A, 800mA 4-Kanal 63W 120 → 370 V dc, 90 → 264 V ac, Ausgangsspannung: ±5 V dc, ±15V dc, Montagetyp: Gehäusemontage, Gehäusetyp: Offene Bauform, Länge: 127mm, Breite: 76.2mm, Tiefe: 30.5mm, Wirkungsgrad: 80%, Temperatur max.: +70°C, Gewicht: 240g, MPN: SDS60UQ05
    • XP Power Schaltnetzteil, 12V dc / 5.2A 3-Kanal 63W 120 → 370 V dc, 90 → 264 V ac Offene Bauform,, Ausgangsspannung: 12V dc, Montagetyp: Gehäusemontage, Länge: 127mm, Breite: 76.2mm, Tiefe: 30.5mm, Wirkungsgrad: 80%, Temperatur max.: +70°C, Gewicht: 240g, MPN: SDS60US12
    • onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 0.93mm, MPN: BSS123
    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 130 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 10 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.92mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: BSS84
    • onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 0.93mm, MPN: BSS123
    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 130 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 10 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.92mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: BSS84