Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 100 A, 8-Pin PQFN 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0014 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 20V, MPN: IRFH5300TRPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 100 A, 8-Pin PQFN 5 X 6
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 100 A, 8-Pin PQFN 5 X 6 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |