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Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC

About The : 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max

Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm, MPN: IRF7303TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC
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Molex Steckverbindergehäuse Buchse 1.5mm, 3-polig / 1-reihig, Kabelmontage für 502579 Crimp-Anschlussklemme für, Zur Verwendung mit: 502579 Crimp-Anschlussklemme für 24-28 AWG, 503429 Crimp-Anschlussklemme für 26-30 AWG, Länge: 8.8mm, Breite: 8.6mm, Gehäusematerial: Kunststoff, MPN: 5025780300
    • Schneider Electric TeSys D LC2D Leistungsschütz 24 V dc-Spule, 3 -polig, 300 V dc, 690 V ac 4 kW Umkehrend, Anschlusstyp: Ringkabelschuhklemme, Länge: 77mm, Breite: 90mm, Tiefe: 95mm, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, Betriebstemperatur max.: +60°C, Betriebstemperatur min.: -5°C, MPN: LC2D096BL
    • Hammond Leiterplatten-Gehäuse, Polystyrol, 150 x 80 x 80mm, Länge (Innen): 150 mm, Breite (Innen): 110 mm, Höhe (Innen): 80 mm, MPN: MB158080
    • Kübler CODIX 135 Zähler Elektrisch, Manuell 8-stellig, 4 → 30 V dc, 0 → 99999999, Anzeigentyp: LCD, Eingangstyp: Spannung, Verbindungstyp: Schraubbefestigung, Montagetyp: Tafelmontage, Ziffernhöhe: 8 mm, Hintergrundbeleuchtung: Ja, Betriebstemperatur max.: +50°C, Betriebstemperatur min.: -10°C, Gewicht: 50g, MPN: 6.135.012.861
    • TE Connectivity TLRS Metallstreifen SMD-Widerstand 2mΩ ±1% / 4W ±50ppm/°C, 1050 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +170°C, MPN: TLRS105030DR002FTDG
    • Siemens PIR Bewegungsmelder, Ø 88mm, MPN: 5WG1255-2DB21

    Siemens PIR Bewegungsmelder, Ø 88mm, MPN: 5WG1255-2DB21

    Siemens PIR Bewegungsmelder, Ø 88mm.

    • Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm, MPN: IRF7303TRPBF
    • KEMET C4BS Folienkondensator 5μF ±5% / 550 V ac, 850 V dc, Lötöse Raster 37mm, Kapazität: 5µF, Länge: 57.5mm, Tiefe: 35mm, Anschlusslänge: 17mm, Äquivalenter Serienwiderstand: 1.9mΩ, Höhe: 50mm, Abmessungen: 57.5 x 35 x 50mm, Dielektrikum: Polypropylen, Verlustleistungsfaktor: ≤5 x 10⁻⁴ % @1 kHz, Betriebstemperatur max.: +85°C, MPN: C4BSMBX4500ZBNJ
    • Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm, MPN: IRF7303TRPBF
    • KEMET C4BS Folienkondensator 5μF ±5% / 550 V ac, 850 V dc, Lötöse Raster 37mm, Kapazität: 5µF, Länge: 57.5mm, Tiefe: 35mm, Anschlusslänge: 17mm, Äquivalenter Serienwiderstand: 1.9mΩ, Höhe: 50mm, Abmessungen: 57.5 x 35 x 50mm, Dielektrikum: Polypropylen, Verlustleistungsfaktor: ≤5 x 10⁻⁴ % @1 kHz, Betriebstemperatur max.: +85°C, MPN: C4BSMBX4500ZBNJ