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Vishay SMD Schottky Diode, 50V / 4A, 2-Pin DO-221BC

About The Vishay SMD Schottky Diode, 50V / 4A, 2-Pin DO-221BC, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Maximaler Spannungsabfall: 590mV, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 80A, MPN: V4PAN50-M3/I

Vishay SMD Schottky Diode, 50V / 4A, 2-Pin DO-221BC, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Maximaler Spannungsabfall: 590mV, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 80A, MPN: V4PAN50-M3/I

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Schottky-Dioden und Gleichrichter

Vishay SMD Schottky Diode, 50V / 4A, 2-Pin DO-221BC

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Specifications of Vishay SMD Schottky Diode, 50V / 4A, 2-Pin DO-221BC

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Vishay SMD Schottky Diode, 50V / 4A, 2-Pin DO-221BC
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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,2 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 800 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.6mm, MPN: BSP296NH6327XTSA1
    • Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 170 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 25 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.6mm, MPN: BSP324H6327XTSA1
    • ETA 8340 Thermischer Überlastschalter / Thermischer Geräteschutzschalter, 1-polig, 5A, 80V dc, Betriebsspannung: 80V dc, Breite: 19mm, Reset-Betätigungselement, Typ: Kippschalter, Montageart: Flanschbefestigung, Überlastschaltertyp: Thermisch-magnetischer Schutzschalter, MPN: 8340-F410-P1M1-A3H0-5A
    • Panasonic ERJ2GEJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 3.3Ω ±5% / 0.1W -100 → +600ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJ2GEJ3R3X
    • Panasonic ERJ2GEJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 3.3Ω ±5% / 0.1W -100 → +600ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJ2GEJ3R3X