Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,2 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223
About The : 0.6mm, MPN: BSP296NH6327XTSA1
Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,2 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 800 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.6mm, MPN: BSP296NH6327XTSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,2 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223
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Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,2 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223 | |
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