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Onsemi UltraFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 285 W, 3-Pin TO-247

About The : 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.87mm, Betriebstemperatur max

onsemi UltraFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 285 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: HUF75344G3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi UltraFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 285 W, 3-Pin TO-247

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Specifications of Onsemi UltraFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 285 W, 3-Pin TO-247

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Onsemi UltraFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 285 W, 3-Pin TO-247
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Kimberly Clark Papierhandtuch Rolle Weiß, 380 x 240mm, 1000-Blatt, Reihe: WypAll, Mehrmalige/Einmalige Verwendung: Einmalige Verwendung, MPN: 7202
    • Telemecanique Sensors Telemecanique konfektioniertes Sensorkabel, Buchse gerade / offenes Ende, Länge 5m, Leiterquerschnitt: 0,34 mm², Steckverbinder 1: M8, Nennstrom: 4 A, Betriebsspannung: 75 V dc, Schutzart: IP69K, AWG: 22 AWG, MPN: XZCPA0941L5
    • Omron Mikroschalter Rollenhebel-Betätiger Flachstecker, 100 mA @ 30 V dc, SPDT IP 40 0,29 N -25°C - +80°C, Kontaktmaterial: Goldlegierung, Lebensdauer mechanisch: 10000000Operations, Schalt-Lösekraft: 0.05N, Betriebstemperaturbereich: -25 → +80°C, MPN: VX-016-1C23
    • Finder 72 Sensor Bodensensor Edelstahl mit 200m Kabel Relais Oberflächenmontage 0°C / +100°C, Strom max.: 30 A, MPN: 072.11

    Finder 72 Sensor Bodensensor Edelstahl mit 200m Kabel Relais Oberflächenmontage 0°C / +100°C, Strom max.: 30 A, MPN: 072.11

    Finder 72 Sensor Bodensensor Edelstahl mit 200m Kabel Relais Oberflächenmontage 0°C / +100°C.

    • StarTech.com Medienkonverter 10/100/1000Mbit/s, Vollduplex 1000Mbit/s, Anschluss: RJ45, Distrelec Product Id: 30366444, MPN: POEEXT1GAT
    • Murata LQG15HN SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1,6 nH 300mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.3nH, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.: 100mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Qualitätsfaktor min.: 8, Formteil: Ja, MPN: LQG15HN1N6S02D
    • DiodesZetex IntelliFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 1,2 A 2,13 W, 8-Pin SM, Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Höhe: 1.5mm, Länge: 4.95mm, Betriebstemperatur max.: +125 °C, MPN: ZXMS6004DT8TA
    • onsemi UltraFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 285 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: HUF75344G3
    • DiodesZetex IntelliFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 1,2 A 2,13 W, 8-Pin SM, Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Höhe: 1.5mm, Länge: 4.95mm, Betriebstemperatur max.: +125 °C, MPN: ZXMS6004DT8TA
    • onsemi UltraFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 285 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: HUF75344G3