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JST GH Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 6-polig, Raster 1.25mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss, 1.0A, Ummantelt

About The 25mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss, 1.0A, Ummantelt, Montagetyp: SMD, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Zinn, Betriebsspannung: 50,0 V, Distrelec Product Id: 30409562, MPN: BM06B-GHS-TBT(LF)(SN)

JST GH Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 6-polig, Raster 1.25mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss, 1.0A, Ummantelt, Montagetyp: SMD, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Zinn, Betriebsspannung: 50,0 V, Distrelec Product Id: 30409562, MPN: BM06B-GHS-TBT(LF)(SN)

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JST GH Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 6-polig, Raster 1.25mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss, 1.0A, Ummantelt

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Specifications of JST GH Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 6-polig, Raster 1.25mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss, 1.0A, Ummantelt

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STMicroelectronics TVS-Diode Uni-Directional Einfach 24.2V 12.3V min., 2-Pin, SMD 11V max SMA flach, Klemmenspannung max.: 18 V, 24.2 V, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 600W, Impulsspitzen-Strom max.: 33.8 A, 165 A, ESD Schutz: Ja, Betriebstemperatur min.: –55 °C, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Kapazität: 150pF, MPN: SMA6F11A
    • Epson T1283 Druckerpatrone für Patrone Magenta 1 Stk./Pack, Funktioniert mit den Druckermodellen: BX305F, BX305FW, BX305FW+, S22, SX125, SX130, SX235W, SX420W, SX425W, SX435W, SX445W, MPN: C13T12834010
    • Coil Beleuchtete Lupe 10.1X-fach -2.5dpt beleuchtet Ø 34mm C, Beleuchtet: Ja, MPN: 6309/05
    • STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 14 A 190 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 375 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.75mm, MPN: STW15N80K5
    • STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 14 A 190 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 375 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.75mm, MPN: STW15N80K5