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Onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 1 A HFE:2000, SOT-223 4-Pin Einfach

About The 5 x 3.: 1,9 V, Kollektor-Basis-Spannung max

onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 1 A HFE:2000, SOT-223 4-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Montage-Typ: SMD, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: 1,9 V, Kollektor-Basis-Spannung max.: 90 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 1,3 V, Abmessungen: 6.5 x 3.5 x 1.57mm, MPN: BSP52T1G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Darlington Transistoren

Onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 1 A HFE:2000, SOT-223 4-Pin Einfach

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Darlington Transistoren

Specifications of Onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 1 A HFE:2000, SOT-223 4-Pin Einfach

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Onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 1 A HFE:2000, SOT-223 4-Pin Einfach
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