Infineon IGBT 110 W PG-TO-220-3

Name: Infineon - Infineon IGBT 110 W PG-TO-220-3, MPN: IGP10N60TXKSA1
Brand: Infineon
SKU: ABDU-335408
Price: 26.56 EUR
Availability: InStock

About The Infineon IGBT 110 W PG-TO-220-3, MPN: IGP10N60TXKSA1

Infineon IGBT 110 W PG-TO-220-3, MPN: IGP10N60TXKSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Teng Tools 3/4 Zoll Vierkant metrisch/zöllig 6-Punkt; 12-Punkt Standard-Steckschlüsselsatz 32-teilig, Ratsche im Lieferumfang enthalten: Ja, Kopftyp: Sechskant, Set Typ: Steckschlüsselsatz, nicht für den Schlageinsatz, MPN: TTESK32

Hirschmann Test & Measurement Hirschmann Messleitung 4mm Stecker / Stecker, Rot PVC-isoliert 1m, 1000V ac/dc / 32A, Messleitungstyp: Messleitungen mit 4-mm-Steckverbinder, Nennspannung: 1000V ac/dc, Anschluss A ummantelt: Ja, Anschluss A Ausrichtung: Gerade, Anschluss B Ausrichtung: Rechtwinklig, Kontaktmaterial: Vernickeltes Berylliumkupfer, Betriebstemperatur max.: +70°C, Betriebstemperatur min.: -15°C, MPN: 934083101

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Specifications of Infineon IGBT 110 W PG-TO-220-3
Category
Instock	instock

Last Updated January 6th, 2025 12:25 pm

More Varieties

Rating :- 8.3 /10

Votes :- 40

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 2 A 40 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.67mm, MPN: SIHF9620S-GE3

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 2 A 40 W, 3-Pin D2PAK (TO-263).

SCS ESD Beutel ableitend transparent, Stärke 0.071mm x 127mm x 152mm, 100 Stück, Verpackungstyp: Beutel mit statischer Abschirmung, Typ: Tasche, Ableitend: Ja, Leitfähig: Nein, Verschlussart: Oben offen, Zugfestigkeit: 31.72mPa, MPN: 10056

071mm x 127mm x 152mm, 100 Stück.

IMI Norgren Norgren Hoher Fuß QA/8100/21

IMI Norgren Norgren Hoher Fuß QA/8100/21.

Renesas Electronics Taktpuffer 150 mA 400MHz SMD TSSOP, 28-Pin, MPN: 9DB403DGILF

Renesas Electronics Taktpuffer 150 mA 400MHz SMD TSSOP, 28-Pin.

Renesas Electronics Taktpuffer 150 mA 400MHz SMD TSSOP, 28-Pin, MPN: 9DB403DGILF

Renesas Electronics Taktpuffer 150 mA 400MHz SMD TSSOP, 28-Pin.

Infineon IGBT 110 W PG-TO-220-3

About The Infineon IGBT 110 W PG-TO-220-3, MPN: IGP10N60TXKSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Specifications of Infineon IGBT 110 W PG-TO-220-3

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 2 A 40 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.67mm, MPN: SIHF9620S-GE3

SCS ESD Beutel ableitend transparent, Stärke 0.071mm x 127mm x 152mm, 100 Stück, Verpackungstyp: Beutel mit statischer Abschirmung, Typ: Tasche, Ableitend: Ja, Leitfähig: Nein, Verschlussart: Oben offen, Zugfestigkeit: 31.72mPa, MPN: 10056

IMI Norgren Norgren Hoher Fuß QA/8100/21

Renesas Electronics Taktpuffer 150 mA 400MHz SMD TSSOP, 28-Pin, MPN: 9DB403DGILF

Renesas Electronics Taktpuffer 150 mA 400MHz SMD TSSOP, 28-Pin, MPN: 9DB403DGILF