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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

About The : 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, MPN: IRFB3006PBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin TO-220AB

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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin TO-220AB
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Phoenix Contact IPCV 5/ 2-GF-7.62, MPN: 1708938

Phoenix Contact IPCV 5/ 2-GF-7.62, MPN: 1708938

62.Phoenix Contact IPCV 5/ 2-GF-7.

    • Sanyo Denki San Ace 9S DC-Axiallüfter, Kugellager, 12 V dc / 1.68W, 92 x 92 x 25mm, 2650U/min, 75.6m³/h, Höhe: 92mm, Strom max.: 140mA, Anschlusstyp: Leiter, Geräuschpegel: 27dB, Signalausgang: Tachometer, Distrelec Product Id: 30116841, MPN: 9S0912F4011
    • Eaton Drosselspule, 2,2 μH 5.52A mit Ferrit-Kern, 0703 Gehäuse 7.6mm / ±20%, 100kHz, Höhe: 3.55mm, Abmessungen: 7.6 x 7.6 x 3.55mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 16.5mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: DR73-2R2-R
    • RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 39.6mm / Außen-Ø 44.4mm, Stärke 2.4mm, Betriebstemperatur (min.): -15°C, Betriebstemperatur (max.): +200°C
    • BALLUFF Rundsteckverbinder Adapter, 4-polig, Stecker, 1 Ports, M12, Gender Ende 1: Male, MPN: BCC VA04-M415-3E-RA125-000
    • Ecliptek Quarz 25MHz, MPN: E2SEA18-25.000M
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, MPN: IRFB3006PBF
    • Grayhill Nockenschalter, SP7T, 115 V ac, 28V dc, 7-Stufen Lötfahne, 36°-Wurfwinkel, Spannung (max.): 115 V ac, 28V dc, Länge: 20.45mm, Abmessungen: 12.7 (Dia.) x 20.45mm, MPN: 77P36-01-1-07N
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, MPN: IRFB3006PBF
    • Grayhill Nockenschalter, SP7T, 115 V ac, 28V dc, 7-Stufen Lötfahne, 36°-Wurfwinkel, Spannung (max.): 115 V ac, 28V dc, Länge: 20.45mm, Abmessungen: 12.7 (Dia.) x 20.45mm, MPN: 77P36-01-1-07N