Infineon CoolMOS™ CFD7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,125 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPW60R125CFD7XKSA1
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Infineon CoolMOS™ CFD7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin TO-247
Specifications of Infineon CoolMOS™ CFD7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin TO-247 | |
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