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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 70 V / 32,5 A, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3 S.

About The : 2.4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiZ254DT-T1-GE3

Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 70 V / 32,5 A, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S., Drain-Source-Widerstand max.: 0,0161 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiZ254DT-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 70 V / 32,5 A, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3 S.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 70 V / 32,5 A, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3 S.

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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 70 V / 32,5 A, 8-Pin PowerPAIR 3 X 3 S.
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