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Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A PG-TO263-7

About The Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A PG-TO263-7, MPN: IPB014N06NATMA1

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A PG-TO263-7, MPN: IPB014N06NATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A PG-TO263-7

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Specifications of Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A PG-TO263-7

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Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A PG-TO263-7
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Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3, MPN: IKW50N65H5FKSA1

Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3, MPN: IKW50N65H5FKSA1

, 650 V 305 W PG-TO247-3.Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max.

    • Infineon N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 16,8 A PG-TO220-FP, MPN: IPA60R230P6XKSA1

    Infineon N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 16,8 A PG-TO220-FP, MPN: IPA60R230P6XKSA1

    Infineon N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 16,8 A PG-TO220-FP.

    • AXINDUS Einzeladerleitung 2,5 mm², 12 AWG 100m Braun Polyolefin vernetzt isoliert 2,5 mm² Litzen, Certification RPC: Eca, Serie: MN2XTREM, Schaltdraht-Typ: Für raue Umgebungen, MPN: MN2XT25M
    • Microchip 12-Bit + Vorzeichen ADC MCP3301-CI/P, 100ksps PDIP, 8-Pin, Architektur: SAR, Eingangssignal-Typ: Differential, Pseudo Differential, Eingangs-Typ: Spannung, Montage-Typ: THT, Integrale Nichtlinearität: ±2LSB, Digital Interface Typ: Seriell (SPI), Versorgungsspannung einzeln typ.: 5 V, Abmessungen: 9.27 x 6.35 x 3.3mm, Betriebstemperatur max.: 85 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C
    • Microchip 12-Bit + Vorzeichen ADC MCP3301-CI/P, 100ksps PDIP, 8-Pin, Architektur: SAR, Eingangssignal-Typ: Differential, Pseudo Differential, Eingangs-Typ: Spannung, Montage-Typ: THT, Integrale Nichtlinearität: ±2LSB, Digital Interface Typ: Seriell (SPI), Versorgungsspannung einzeln typ.: 5 V, Abmessungen: 9.27 x 6.35 x 3.3mm, Betriebstemperatur max.: 85 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C