Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 0,6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IPN80R600P7ATMA1
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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin SOT-223 | |
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