Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,18 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPP60R180C7XKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin TO-220 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |