Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,2 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 1 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPS65R1K0CEAKMA2
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,2 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,2 A, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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