Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23,8 A, 3-Pin TO-220
About The 5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPP60R160P6XKSA1.: 0,16 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23,8 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,16 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPP60R160P6XKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23,8 A, 3-Pin TO-220
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Specifications of Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23,8 A, 3-Pin TO-220 | |
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