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Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 330 μH 1.12A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm

About The 12A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm, MPN: 74404086331.Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 330 μH 1

Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 330 μH 1.12A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm, MPN: 74404086331

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 330 μH 1.12A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Specifications of Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 330 μH 1.12A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm

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Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 56 μH 1.5A AEC-Q200, 6045 Gehäuse 6mm, Tiefe: 4.5mm, MPN: 74404064560

Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 56 μH 1.5A AEC-Q200, 6045 Gehäuse 6mm, Tiefe: 4.5mm, MPN: 74404064560

5A AEC-Q200, 6045 Gehäuse 6mm.Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 56 μH 1.

    • Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 680 μH 420mA AEC-Q200, 6045 Gehäuse 6mm, Tiefe: 4.5mm, MPN: 74404064681

    Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 680 μH 420mA AEC-Q200, 6045 Gehäuse 6mm, Tiefe: 4.5mm, MPN: 74404064681

    Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 680 μH 420mA AEC-Q200, 6045 Gehäuse 6mm.

    • RS PRO Edelstahl 316 Kabelrohr Befestigung Abzweigdosen 20mm Silber Satin-Finish IP67, Standards: BS EN 60529:1992 - IEC 529:1989, UL
    • Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 680 μH 600mA AEC-Q200, 8040 Gehäuse 8mm, Tiefe: 4.2mm, MPN: 74404084681

    Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 680 μH 600mA AEC-Q200, 8040 Gehäuse 8mm, Tiefe: 4.2mm, MPN: 74404084681

    Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 680 μH 600mA AEC-Q200, 8040 Gehäuse 8mm.

    • DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 450 V / 600 mA 12,5 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 21 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 6.55mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: DMP45H21DHE-13
    • Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 150 μH 1.8A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm, Tiefe: 6.5mm, MPN: 74404086151

    Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 150 μH 1.8A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm, Tiefe: 6.5mm, MPN: 74404086151

    8A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm.Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 150 μH 1.

    • Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 330 μH 1.12A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm, MPN: 74404086331

    Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 330 μH 1.12A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm, MPN: 74404086331

    Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 330 μH 1.12A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm.

    • Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 470 μH 1.08A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm, Tiefe: 6.5mm, MPN: 74404086471
    • Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 330 μH 1.12A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm, MPN: 74404086331
    • Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 470 μH 1.08A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm, Tiefe: 6.5mm, MPN: 74404086471

    Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 470 μH 1.08A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm, Tiefe: 6.5mm, MPN: 74404086471

    08A AEC-Q200, 8065 Gehäuse 8mm.Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 470 μH 1.