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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 64 A D2PAK

About The Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 64 A D2PAK, MPN: IRFZ48NSTRLPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 64 A D2PAK, MPN: IRFZ48NSTRLPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 64 A D2PAK

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 64 A D2PAK

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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 64 A D2PAK
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A MG-WDSON-5, MPN: IRF6646TRPBF

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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A MG-WDSON-5.

    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 9,3 A PQFN, MPN: IRFH5053TRPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 9,3 A PQFN, MPN: IRFH5053TRPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 9,3 A PQFN.

    • TE Connectivity HT-200 Wärmeschrumpfschlauch, Fluorpolymer Transparent, Ø 19mm Schrumpfrate 2:1, Länge 75m, Schrumpfdurchmesser: 9.53mm, Hülsen Typ: Wärmeschrumpfend, Kleberbeschichtet: Nein, Betriebstemperaturbereich: –70 → +200 °C, Flammhemmend: Ja, Standards: RW-1200, SAE-AMS-DTL-23053/18 Klasse 3, MPN: HT-200-3/4-X-SP-CS-34128
    • TE Connectivity HT-200 Wärmeschrumpfschlauch, Fluorpolymer Transparent, Ø 9.5mm Schrumpfrate 2:1, Länge 60m, Schrumpfdurchmesser: 4.75mm, Hülsen Typ: Wärmeschrumpfend, Kleberbeschichtet: Nein, Betriebstemperaturbereich: –70 → +200 °C, Flammhemmend: Ja, Standards: RW-1200, SAE-AMS-DTL-23053/18 Klasse 3, MPN: HT-200-3/8-X-SP-CS-34128
    • TE Connectivity HT-200 Wärmeschrumpfschlauch, Fluorpolymer Transparent, Ø 9.5mm Schrumpfrate 2:1, Länge 60m, Schrumpfdurchmesser: 4.75mm, Hülsen Typ: Wärmeschrumpfend, Kleberbeschichtet: Nein, Betriebstemperaturbereich: –70 → +200 °C, Flammhemmend: Ja, Standards: RW-1200, SAE-AMS-DTL-23053/18 Klasse 3, MPN: HT-200-3/8-X-SP-CS-34128