onsemi NTMT090N N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 36 A, 4-Pin PQFN4 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,09 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: NTMT090N65S3HF
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Onsemi NTMT090N N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 36 A, 4-Pin PQFN4 8 X 8
Specifications of Onsemi NTMT090N N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 36 A, 4-Pin PQFN4 8 X 8 | |
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