Toshiba Battery Toshiba RN1101(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin, Gleichstromverstärkung min.: 30, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 10 V, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -55 °C, Eingangswiderstand typ.: 4.7 kΩ
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Toshiba Battery Toshiba RN1101(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, ESM 3-Pin
Specifications of Toshiba Battery Toshiba RN1101(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, ESM 3-Pin | |
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