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STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-220

About The STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 330 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.4mm, MPN: STP18N65M2

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-220

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STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-220
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RS PRO Stahl Wandgehäuse Grau IP66, HxBxT 400 mm x 300 mm x 150mm, Durchsichtige Tür: Nein, Türschloss-Typ: Einfaches Verschlusssystem, RAL-Code: RAL 7032, Anwendung: Kommunikationsgeräte, Steuereinheiten, Messgeräte, Distrelec Product Id: 30404551, Zum Schutz von: Komponenten und Steuereinheiten
    • Panasonic ED - A, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 82μF ±20% / 200V dc, Ø 16mm x 20mm, bis 105°C, Kapazität: 82µF, Spannung: 200V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 16 (Dia.) x 20mm, Betriebstemperatur min.: -25°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 7.5mm, Lebensdauer: 10000h, Polarisiert: Polar, Brummstrom: 1.1A, MPN: EEUED2D820S
    • Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 A, 4-Pin LFPAK56E, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: PSMN1R5-50YLHX
    • Mapa TITAN 850 Arbeitshandschuhe, Größe 8, Schneidfest, Nitril Rot 1Paar Stk., EN 388 Abriebfestigkeit: 4, EN 388 Durchstichkraft: 2, EN388 Schnitt – TDM-100-Test: X, EN 374 Schutzhandschuhe gegen Chemikalien: Nein, MPN: 850 8
    • STMicroelectronics TRIAC 30A D2PAK SMD Gate Trigger 1V 50mA, 600V 3-Pin, Spitzenstrom: 284A, Haltestrom max.: 75mA, Abmessungen: 10.28 x 9.35 x 4.6mm, Länge: 10.28mm, Breite: 9.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: T3050H-6G
    • Bourdon Pulsationsdämpfer für Manometer G1/2 Buchse, MPN: ARA-10.L30L

    Bourdon Pulsationsdämpfer für Manometer G1/2 Buchse, MPN: ARA-10.L30L

    Bourdon Pulsationsdämpfer für Manometer G1/2 Buchse.

    • STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 330 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.4mm, MPN: STP18N65M2
    • WAGO 787 Getaktet Schaltnetzteil 96W, 230V ac, 24V dc / 4A, Ausgangsspannung: 24V dc, Tiefe: 119.5mm, Höhe: 90mm, Breite: 52mm, Montagetyp: DIN-Schienen-Montage, MPN: 787-1616
    • STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 330 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.4mm, MPN: STP18N65M2
    • WAGO 787 Getaktet Schaltnetzteil 96W, 230V ac, 24V dc / 4A, Ausgangsspannung: 24V dc, Tiefe: 119.5mm, Höhe: 90mm, Breite: 52mm, Montagetyp: DIN-Schienen-Montage, MPN: 787-1616