Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 12,3 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SiSS92DN-T1-GE3
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 12,3 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 12,3 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S | |
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