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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 8,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD70R600P7SAUMA1.: 0,6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 8,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD70R600P7SAUMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 8,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 8,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 8,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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