Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 8,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD70R600P7SAUMA1
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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 8,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 8,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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