Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220
About The Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: CSD19534KCS
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 100 A 118 W, 3-Pin TO-220 | |
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