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Toshiba Battery Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 9,3 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS

About The 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 500 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Toshiba Battery Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 9,3 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 500 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK9A65W,S5X(M

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba Battery Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 9,3 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS

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Specifications of Toshiba Battery Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 9,3 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS

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Toshiba Battery Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 9,3 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
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Infineon Power Switch Evaluierungsbausatz, BTG7050-1EPL DAUGH BRD Evaluierungsplatine, Zum Einsatz mit: PROFET-Motherboard, MPN: BTG70501EPLDAUGHBRDTOBO1
    • Hammond Aluminium Gehäuse 1411 Außenmaß 305 x 203 x 76mm, Länge (Außen): 305 mm, Höhe (Außen): 76 mm, Breite (Außen): 203 mm, MPN: 1411V
    • Hammond Aluminium Gehäuse 1411 Außenmaß 432 x 127 x 102mm, Länge (Außen): 432 mm, Höhe (Außen): 102 mm, Breite (Außen): 127 mm, MPN: 1411ZU
    • Wera zöllig Innensechskant-Schlüssel 3/16Zoll L-Form lang, Produkttyp: Sechskantschlüssel-Set, Spitzentyp: Sechskant Kugelkopf, MPN: 05022634001
    • Hirose FH26, SMD FPC-Steckverbinder, Buchse, 13-polig / 2-reihig, Raster 0.3mm Lötanschluss, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Anschlusstyp: ZIF-Kontakt unten, Gehäuseausrichtung: gewinkelt, Nennstrom: 200mA, Betriebsspannung: 30 V ac, Kontaktbeschichtung: Gold, Anschlussart: Löten, Gehäusematerial: Flüssigkristallpolymer, Polyamid, Betriebstemperatur (max.): +85°C, MPN: FH26W-13S-0.3SHW(99)
    • Hammond Kunststoff Universal-Gehäuse Außenmaß 3.78 x 6.35 x 2.28Zoll, Länge (Außen): 96 mm, Höhe (Außen): 57,9 mm, Breite (Außen): 161,3 mm, MPN: 1595CBK
    • Toshiba Battery Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 9,3 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 500 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK9A65W,S5X(M
    • Hammond Kunststoff Universal-Gehäuse Außenmaß 5.12 x 8.47 x 2.95Zoll, Länge (Außen): 130 mm, Höhe (Außen): 74,9 mm, Breite (Außen): 215,1 mm, MPN: 1595EGY
    • Toshiba Battery Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 9,3 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 500 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK9A65W,S5X(M
    • Hammond Kunststoff Universal-Gehäuse Außenmaß 5.12 x 8.47 x 2.95Zoll, Länge (Außen): 130 mm, Höhe (Außen): 74,9 mm, Breite (Außen): 215,1 mm, MPN: 1595EGY