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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,6 A 2,8 W, 3-Pin SOT-223

About The : 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,6 A 2,8 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 185 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 1.8mm, MPN: IRFL4315TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,6 A 2,8 W, 3-Pin SOT-223

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,6 A 2,8 W, 3-Pin SOT-223

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Amphenol Socapex, 2M805 MIL-Rundsteckverbinder, Buchse, 8-polig, 750 V, Kontermutter, Gehäuse 10, Nennstrom: 7.5A, Verbindungstyp: Gewinde, Gehäuseausrichtung: Gerade, Distrelec Product Id: 30393235, MPN: 2M80500307ZNU1028AA
    • KEMET HHBC Speicherdrossel Induktivität, 107 μH / 100 kHz, 53mΩ, 3 A, 22 Dia.
    • TE Connectivity BNC-Stecker, 50Ω, gerade, Kabelmontage, Crimp-Anschluss, 0 → 4GHz, RG174 A/U, RG188 A/U, RG316/U, silbern, Gender: Male, Betriebstemperatur min.: -65 °C,, Betriebstemperatur max.: , +165 °C, Kontaktmaterial: Messing, MPN: 1-1337430-0
    • TRACOPOWER TEN 30WIN DC/DC-Wandler 30W 24 V dc IN, 3.3 V dc, ±12V dc OUT / 5 A, 420mA Durchsteckmontage 1.5kV dc, Ausgangsspannung: 3.3 V dc, ±12V dc, Eingangsspannung: 9 → 36 V dc, Isoliert: Ja, Gehäuse: 1 x 2 in, Isolationsspannung: 1.5kV dc, Tiefe: 10.2mm, Länge: 50.8mm, Wirkungsgrad: 86%, Temperatur max.: +75°C, MPN: TEN 30-2433WIN
    • TRACOPOWER TEN 30WIN DC/DC-Wandler 30W 24 V dc IN, 3.3 V dc, ±12V dc OUT / 5 A, 420mA Durchsteckmontage 1.5kV dc, Ausgangsspannung: 3.3 V dc, ±12V dc, Eingangsspannung: 9 → 36 V dc, Isoliert: Ja, Gehäuse: 1 x 2 in, Isolationsspannung: 1.5kV dc, Tiefe: 10.2mm, Länge: 50.8mm, Wirkungsgrad: 86%, Temperatur max.: +75°C, MPN: TEN 30-2433WIN