STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9,2 A 200 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 980 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 20.15mm, MPN: STW11NK90Z
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9,2 A 200 W, 3-Pin TO-247
Specifications of STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9,2 A 200 W, 3-Pin TO-247 | |
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