DiodesZetex ZXTP2009ZTA SMD, PNP Transistor –40 V / –5,5 A 152 MHz, SOT-89 3-Pin

Name: DiodesZetex | DiodesZetex ZXTP2009ZTA SMD, PNP Transistor –40 V / –5,5 A 152 MHz, SOT-89 3-Pin
Brand: DiodesZetex
SKU: ABDU-365807
Price: 360.00 EUR
Availability: InStock

About The : 3 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.6 x 2

DiodesZetex ZXTP2009ZTA SMD, PNP Transistor –40 V / –5,5 A 152 MHz, SOT-89 3-Pin, Verlustleistung max.: 3 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: –50 V, Basis-Emitter Spannung max.: –7,5 V, Abmessungen: 4.6 x 2.6 x 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

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DiodesZetex ZXTP2012ZTA SMD, PNP Transistor –60 V / –4,3 A 120 MHz, SOT-89 3-Pin, Verlustleistung max.: 2,1 W, Gleichstromverstärkung min.: 100, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: –100 V, Basis-Emitter Spannung max.: –7 V, Abmessungen: 4.6 x 2.6 x 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of DiodesZetex ZXTP2009ZTA SMD, PNP Transistor –40 V / –5,5 A 152 MHz, SOT-89 3-Pin
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Last Updated January 2nd, 2025 05:08 am

DiodesZetex ZXTP2009ZTA SMD, PNP Transistor –40 V / –5,5 A 152 MHz, SOT-89 3-Pin

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Siemens Zubehör für VL630, VL800, VL1250, VL1600, Unterspannungsauslöser 500...525V A., 3VL9800-1UL00, MPN: 3VL98001UL00

.Siemens Zubehör für VL630, VL800, VL1250, VL1600, Unterspannungsauslöser 500., 3VL9800-1UL00.525V A.

ifm electronic G1/4 Relativ Drucksensor 0bar bis 600bar, Analog 0 → 10 V, für Gas, Genauigkeit: ±0,5 %, Anschluss: M12-Steckverbinder, Reaktionszeit: 1 ms, Versorgungsspannung: 16 → 36 V dc, Gehäusematerial: Edelstahl, IP Schutzart: IP67, IP69K, Betriebstemperatur max.: +90°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: PU5460

ifm electronic G1/4 Relativ Drucksensor 0bar bis 600bar, Analog 0 → 10 V, für Gas.

DiodesZetex ZXTN19100CZTA SMD, NPN Transistor 100 V / 5,25 A 150 MHz, SOT-89 3-Pin, Verlustleistung max.: 26,6 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 200 V, Basis-Emitter Spannung max.: 7 V, Abmessungen: 4.6 x 2.6 x 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 0,35 V

DiodesZetex ZXTN19100CZTA SMD, NPN Transistor 100 V / 5,25 A 150 MHz, SOT-89 3-Pin.

DiodesZetex ZXTP2012ZTA SMD, PNP Transistor –60 V / –4,3 A 120 MHz, SOT-89 3-Pin, Verlustleistung max.: 2,1 W, Gleichstromverstärkung min.: 100, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: –100 V, Basis-Emitter Spannung max.: –7 V, Abmessungen: 4.6 x 2.6 x 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

DiodesZetex ZXTP2012ZTA SMD, PNP Transistor –60 V / –4,3 A 120 MHz, SOT-89 3-Pin.