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Wurth Elektronik Würth Elektronik WE-VS Varistor, 1.18nF, 12V, 6V, 0.1J, ZnO / 1A, 80A Max., 0805 (2012M) Gehäuse, L. 2mm

About The 18nF, 12V, 6V, 0., 0805 (2012M) Gehäuse, L

2mm, Gleichspannung max.: 9V, Klemm-Spannung: 20V, Tiefe: 1.25mm, MPN: 82550060 Wurth Elektronik Würth Elektronik WE-VS Varistor, 1.18nF, 12V, 6V, 0.1J, ZnO / 1A, 80A max., 0805 (2012M) Gehäuse, L.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Überspannungsschutz-Komponenten > Varistoren

Wurth Elektronik Würth Elektronik WE-VS Varistor, 1.18nF, 12V, 6V, 0.1J, ZnO / 1A, 80A Max., 0805 (2012M) Gehäuse, L. 2mm

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Specifications of Wurth Elektronik Würth Elektronik WE-VS Varistor, 1.18nF, 12V, 6V, 0.1J, ZnO / 1A, 80A Max., 0805 (2012M) Gehäuse, L. 2mm

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Eaton Tastenplatte,hoch grün, beschriftet, M22-XDH-G-GB1, MPN: 218241

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Eaton Tastenplatte,hoch grün, beschriftet, M22-XDH-G-GB1.

    • Eaton Sicherungshalter für Hutschienenmontage 20A, Zustandsanzeige: Nein, Schienen Typ: DIN 35 mm, Passende Sicherungsgrößen: A1, Serie: Bussmann, MPN: RS20LOCK
    • Maxim Integrated Komparator Low Power SO Dual, Single TTL 10ns 2-Kanal 14-Pin 5→ 10 V, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 8.75 x 4 x 1.5mm, Länge: 8.75mm, Breite: 4mm, CMRR typ.: 75µV/V, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: MAX902ESD+
    • Schneider Electric Kompakt NSX100, Leistungsschalter MCCB 4-polig, 16A, Fest, MPN: C106TM016

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    Schneider Electric Kompakt NSX100, Leistungsschalter MCCB 4-polig, 16A, Fest.

    • Phoenix Contact SMSTBA 2.5/24-G-5.08 Steckbarer Klemmenblock Header 24-Kontakte 5.08mm-Raster, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 12.0A, Betriebsspannung: 630,0 V, Kontaktmaterial: Zinn, MPN: 1767591
    • 2m, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: NSYCN20
    • Wurth Elektronik Würth Elektronik WE-VS Varistor, 1.18nF, 12V, 6V, 0.1J, ZnO / 1A, 80A max., 0805 (2012M) Gehäuse, L. 2mm
    • Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 76 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,037 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPZA60R037P7XKSA1
    • Wurth Elektronik Würth Elektronik WE-VS Varistor, 1.18nF, 12V, 6V, 0.1J, ZnO / 1A, 80A max., 0805 (2012M) Gehäuse, L. 2mm

    Wurth Elektronik Würth Elektronik WE-VS Varistor, 1.18nF, 12V, 6V, 0.1J, ZnO / 1A, 80A max., 0805 (2012M) Gehäuse, L. 2mm

    Wurth Elektronik Würth Elektronik WE-VS Varistor, 1.: 9V, Klemm-Spannung: 20V, Tiefe: 1.18nF, 12V, 6V, 0.

    • Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 76 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,037 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPZA60R037P7XKSA1