Toshiba TK090Z65Z N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4
About The : 0,09 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Toshiba TK090Z65Z N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max
Toshiba TK090Z65Z N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,09 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: TK090Z65Z,S1F(O
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TK090Z65Z N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4
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Specifications of Toshiba TK090Z65Z N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4 | |
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