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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 A 300 W, 8-Pin HSOF-8

About The : 500 μΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.7V, Gate-Source Spannung max

Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 A 300 W, 8-Pin HSOF-8, Pinanzahl: 8 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 500 μΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.7V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1V, Höhe: 2.4mm, MPN: IPT004N03LATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 A 300 W, 8-Pin HSOF-8

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 A 300 W, 8-Pin HSOF-8

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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 A 300 W, 8-Pin HSOF-8
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