Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 1.5V, Gate-Schwellenspannung min
Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 37 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: TK15S04N1L,LQ(O
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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