reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

KEMET C4AE Folienkondensator 30μF ±5% / 600V Dc, THT Raster 37.5mm

About The 5mm, Tiefe: 28mm, Anschlusslänge: 6mm, Äquivalenter Serienwiderstand: 3.6 mΩ @ 10 kHz, Höhe: 37mm, Abmessungen: 42

KEMET C4AE Folienkondensator 30μF ±5% / 600V dc, THT Raster 37.5mm, Kapazität: 30µF, Spannung: 600V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 42.5mm, Tiefe: 28mm, Anschlusslänge: 6mm, Äquivalenter Serienwiderstand: 3.6 mΩ @ 10 kHz, Höhe: 37mm, Abmessungen: 42.5 x 28 x 37mm, Dielektrikum: Polypropylen, Verlustleistungsfaktor: 0.0002 % @ 10 kHz, Anschlussdurchmesser: 1.2mm, MPN: C4AEHBW5300A3JJ

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Kondensatoren > Folienkondensatoren

KEMET C4AE Folienkondensator 30μF ±5% / 600V Dc, THT Raster 37.5mm

More from KEMET | KEMET C4AE Folienkondensator 30μF ±5% / 600V Dc, THT Raster 37.5mm, Kapazität: 30µF, Spannung: 600V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 42.5mm, Tiefe: 28mm, Anschlusslänge: 6mm, Äquivalenter Serienwiderstand: 3.6 MΩ @ 10 KHz, Höhe: 37mm, Abmessungen: 42.5 X 28 X 37mm, Dielektrikum: Polypropylen, Verlustleistungsfaktor: 0.0002 % @ 10 KHz, Anschlussdurchmesser: 1.2mm, MPN: C4AEHBW5300A3JJ
Search

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Kondensatoren > Folienkondensatoren

Specifications of KEMET C4AE Folienkondensator 30μF ±5% / 600V Dc, THT Raster 37.5mm

Category
Instockinstock

Last Updated

KEMET C4AE Folienkondensator 30μF ±5% / 600V Dc, THT Raster 37.5mm
More Varieties

Rating :- 9.82 /10
Votes :- 40
Phoenix Contact FAME 3 Polyamid Verbindungsklemme 12-polig, Raster 8.2mm 24→ 8 AWG / 30A, Montagetyp: Wandmontage, Betriebsspannung: 400 V, Drahtschutz: Ja, Gender: Buchse, MPN: 3969922
    • Siemens SENTRON Abdeckung für UL 489, MPN: 5ST3750-3HG

    Siemens SENTRON Abdeckung für UL 489, MPN: 5ST3750-3HG

    Siemens SENTRON Abdeckung für UL 489.

    • Panasonic, SMD Aluminium-Elektrolyt Kondensator 33μF ±20% / 6.3V dc, Ø 4mm x 5.8mm, bis 105°C, Kapazität: 33µF, Spannung: 6.3V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 4 (Dia.) x 5.8mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Lebensdauer: 2000h, Leckstrom: 3 μA, Polarisiert: Polar, Brummstrom: 29mA, Serie: HB SMD, MPN: EEEHB0J330AR
    • Murrelektronik Limited 7000 konfektioniertes Sensorkabel 5-adrig, Buchse gewinkelt, Länge 3m, Leiterquerschnitt: 22 AWG (Schließer), Mantelfarbe: Grau, Mantelmaterial: Polyurethan PUR, Ausrichtung - Steckverbinder 1: abgewinkelt, Steckverbinder 1: M12, MPN: 7000-12361-2150300
    • HellermannTyton Kabelhalter Befestigungs-Clip, Kabel-Ø 30mm Polyamid Schwarz, MPN: 161-64010 HWCLIP30-PA66HIRHS-BK

    HellermannTyton Kabelhalter Befestigungs-Clip, Kabel-Ø 30mm Polyamid Schwarz, MPN: 161-64010 HWCLIP30-PA66HIRHS-BK

    HellermannTyton Kabelhalter Befestigungs-Clip, Kabel-Ø 30mm Polyamid Schwarz.

    • ITT Cannon APD Crimp-Ausziehwerkzeug mit Umdrehung, Umdrehung: Ja, MPN: 121086-3278
    • KEMET C4AE Folienkondensator 30μF ±5% / 600V dc, THT Raster 37.5mm, Kapazität: 30µF, Spannung: 600V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 42.5mm, Tiefe: 28mm, Anschlusslänge: 6mm, Äquivalenter Serienwiderstand: 3.6 mΩ @ 10 kHz, Höhe: 37mm, Abmessungen: 42.5 x 28 x 37mm, Dielektrikum: Polypropylen, Verlustleistungsfaktor: 0.0002 % @ 10 kHz, Anschlussdurchmesser: 1.2mm, MPN: C4AEHBW5300A3JJ
    • Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 37 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: TK15S04N1L,LQ(O
    • KEMET C4AE Folienkondensator 30μF ±5% / 600V dc, THT Raster 37.5mm, Kapazität: 30µF, Spannung: 600V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 42.5mm, Tiefe: 28mm, Anschlusslänge: 6mm, Äquivalenter Serienwiderstand: 3.6 mΩ @ 10 kHz, Höhe: 37mm, Abmessungen: 42.5 x 28 x 37mm, Dielektrikum: Polypropylen, Verlustleistungsfaktor: 0.0002 % @ 10 kHz, Anschlussdurchmesser: 1.2mm, MPN: C4AEHBW5300A3JJ
    • Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 37 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: TK15S04N1L,LQ(O