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Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP045N10A_F102 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 164 A 263 W, 3-Pin TO-220

About The : 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.65mm, Länge: 10

Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP045N10A_F102 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 164 A 263 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.65mm, Länge: 10.29mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP045N10A_F102 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 164 A 263 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP045N10A_F102 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 164 A 263 W, 3-Pin TO-220

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Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP045N10A_F102 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 164 A 263 W, 3-Pin TO-220
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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPP60R099C7XKSA1
    • 910mm, Tragbar: Nein, MPN: 16922600.19
    • Wurth Elektronik Induktivitäten-Sortiment, Inhalt Drahtinduktivität WE-TI Typ 8012/1014/1020 mit radialen, Set beinhaltet: Drahtinduktivität WE-TI Typ 8012/1014/1020 mit radialen Anschlussdrähten, Stückzahl: 15, Maximale Induktivität: 150mH, Minimale Induktivität: 10µH, MPN: 744743
    • Phoenix Contact GMSTBVA 2.5/11-G-7.62 Steckbarer Klemmenblock Header 11-Kontakte 7.62mm-Raster Gerade, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 12.0A, Betriebsspannung: 630,0 V, MPN: 1766864
    • Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,12 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPP60R120C7XKSA1
    • TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 332Ω ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: H8332RBYA
    • Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP045N10A_F102 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 164 A 263 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.65mm, Länge: 10.29mm
    • Panasonic ERA,, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 487Ω ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA6AEB4870V
    • Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP045N10A_F102 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 164 A 263 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.65mm, Länge: 10.29mm
    • Panasonic ERA,, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 487Ω ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA6AEB4870V