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TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 332Ω ±0.1% / 0.25W

About The 1% / 0.TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 332Ω ±0

TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 332Ω ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: H8332RBYA

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Festwiderstände > Durchsteckwiderstände

TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 332Ω ±0.1% / 0.25W

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Specifications of TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 332Ω ±0.1% / 0.25W

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EPCOS Metalloxid-Varistor, 880pF, 205V, 130V, 34J, Metall / 50A, 4500A max., mm, Ø 15.5mm, 4.2mm, Gleichspannung max.: 170V, Klemm-Spannung: 340V, Serie: Standard, Abmessungen: 15.5 (Dia.) x 4.2mm, Anschlussraster: 7.5mm, MPN: B72214S0131K101
    • Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPP60R099C7XKSA1
    • 910mm, Tragbar: Nein, MPN: 16922600.19

    910mm, Tragbar: Nein, MPN: 16922600.19

    Bott Geschweißte Sitzbank Stahl L. 1000mm H.Bott Geschweißte Sitzbank Stahl L.

    • Wurth Elektronik Induktivitäten-Sortiment, Inhalt Drahtinduktivität WE-TI Typ 8012/1014/1020 mit radialen, Set beinhaltet: Drahtinduktivität WE-TI Typ 8012/1014/1020 mit radialen Anschlussdrähten, Stückzahl: 15, Maximale Induktivität: 150mH, Minimale Induktivität: 10µH, MPN: 744743
    • Phoenix Contact GMSTBVA 2.5/11-G-7.62 Steckbarer Klemmenblock Header 11-Kontakte 7.62mm-Raster Gerade, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 12.0A, Betriebsspannung: 630,0 V, MPN: 1766864
    • Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,12 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPP60R120C7XKSA1
    • TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 332Ω ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: H8332RBYA
    • Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP045N10A_F102 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 164 A 263 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.65mm, Länge: 10.29mm
    • TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 332Ω ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: H8332RBYA
    • Fairchild Semiconductor PowerTrench FDP045N10A_F102 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 164 A 263 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.65mm, Länge: 10.29mm