Phoenix Contact Leiterplattenklemme FRONT 2,5-H/SA10

Name: Phoenix Contact - Phoenix Contact Leiterplattenklemme FRONT 2,5-H/SA10, MPN: 1700040
Brand: Phoenix Contact
SKU: ABDU-36779
Price: 48.72 EUR
Availability: InStock

About The Phoenix Contact Leiterplattenklemme FRONT 2,5-H/SA10, MPN: 1700040

Phoenix Contact Leiterplattenklemme FRONT 2,5-H/SA10, MPN: 1700040

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KEMET T520, SMD Polymerkondensator 330μF ±20% / 4V dc, -55°C → +105°C, Kapazität: 330µF, Materialfamilie des Dielektrikums: Tantal, Spannung: 4V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Gehäuse-Form: 7343-19, Äquivalenter Serienwiderstand: 25mΩ, Länge: 7.3mm, Tiefe: 4.3mm, Höhe: 1.8mm, Abmessungen: 7.3 x 4.3 x 1.8mm, Elektrolyt-Typ: Fest, MPN: T520V337M004ATE025

Wurth Elektronik WE-CBF SMD-Mehrschicht-Induktivität 200mA mit Ferrit-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±25%, Tiefe: 0.8mm, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 450mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: 74279265

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Specifications of Phoenix Contact Leiterplattenklemme FRONT 2,5-H/SA10
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Last Updated January 7th, 2025 05:49 pm

Phoenix Contact Leiterplattenklemme FRONT 2,5-H/SA10

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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 120 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,002 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPP020N08N5AKSA1

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 120 A, 3-Pin TO-220.

Schneider Electric SANFTANL. ATS48 32A, 208- 690V, DOK 4SP

ATS48 32A, 208- 690V, DOK 4SP, MPN: ATS48D32Y.

Amphenol ICC Amphenol Sub-D Steckverbinder A Stecker, 15-polig / Raster 2.74mm, Tafelmontage Lötanschluss, Gehäuseausrichtung: Gerade, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 5.0A, Gehäusematerial: Stahl, Betriebsspannung: 1,0 kV, Länge: 38.76mm, Breite: 12.17mm, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, MPN: DA15P064HTXLF

Amphenol ICC Amphenol Sub-D Steckverbinder A Stecker, 15-polig / Raster 2.

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 295 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.75mm, MPN: STB18NM80

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263).

RS PRO Selbstschneidende Schraube 1Zoll Phillips, Schlitz Rund

RS PRO Selbstschneidende Schraube 1Zoll Phillips, Schlitz Rund.

Wurth Elektronik WE-CBF SMD-Mehrschicht-Induktivität 200mA mit Ferrit-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±25%, Tiefe: 0.8mm, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 450mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: 74279265

6mm / ±25%.Wurth Elektronik WE-CBF SMD-Mehrschicht-Induktivität 200mA mit Ferrit-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.