IXYS PolarHVTM HiPerFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 70 A 625 W, 3-Pin ISOPLUS264, Drain-Source-Widerstand max.: 52 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 20.29mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFL100N50P
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IXYS PolarHVTM HiPerFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 70 A 625 W, 3-Pin ISOPLUS264
Specifications of IXYS PolarHVTM HiPerFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 70 A 625 W, 3-Pin ISOPLUS264 | |
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