Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 120 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,002 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPP020N08N5AKSA1
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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 120 A, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 120 A, 3-Pin TO-220 | |
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